ထုတ်လုပ်သူ HastelloyC4/UNS N06455 Tube၊ Plate၊ Rod
ရနိုင်သောထုတ်ကုန်များ
ချောမွေ့မှုမရှိသော ပြွန်၊ ပန်းကန်၊ လှံတံ၊ ဖောင်များ၊ ချိတ်ဆွဲများ၊ ချွတ်များ၊ ဝါယာကြိုးများ၊ ပိုက်များ
ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု
% | Ni | Cr | Mo | Fe | Ti | Co | C | Mn | Si | P | S | V |
မင်း | လက်ကျန် | ၁၄.၀ | ၁၄.၀ | |||||||||
မက်တယ်။ | 18.0 | ၁၇.၀ | ၃.၀ | ၀.၇ | 2.0 | ၀.၀၁၅ | ၀.၅၀ | ၀.၀၈ | ၀.၀၄၀ | ၀.၀၃၀ | ၀.၃၅ |
ရုပ်ဂုဏ်သတ္တိများ
သိပ်သည်းဆ | 8.64 g/cm3 |
အရည်ပျော် | 1350-1400 ℃ |
Hastelloy C-4 သည် austenitic နည်းပါးသော ကာဗွန်နီကယ်-မိုလီဘဒင်နမ်-ခရိုမီယမ် အလွိုင်းဖြစ်သည်။Hastelloy C-4 နှင့် အလားတူ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုဆိုင်ရာ အစောပိုင်းတီထွင်ထားသော အခြားသတ္တုစပ်များကြား အဓိက ကွာခြားချက်မှာ ကာဗွန်၊ ဆီလီကွန်၊ သံနှင့် အဖြိုက်စတင် ပါဝင်မှု နည်းပါးသည်။ထိုသို့သော ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုသည် 650-1040°C တွင် ကောင်းမွန်သောတည်ငြိမ်မှုကိုပြသနိုင်ပြီး intergranular corrosion ကိုခံနိုင်ရည်ရှိစေကာ သင့်လျော်သောထုတ်လုပ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် အစွန်းလိုင်းချေးကျိုးနိုင်ခြေနှင့် weld အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်ချေးများကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။
ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ
● အထူးသဖြင့် လျှော့ချထားသော အခြေအနေတွင် သံချေးတက်သော မီဒီယာအများစုအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော သံချေးတက်ခြင်း။
● halides များကြားတွင် ဒေသအလိုက် သံချေးတက်ခြင်းကို အထူးကောင်းမွန်သည်။
လျှောက်လွှာအကွက်
၎င်းကို ဓာတုနယ်ပယ်အများစုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။ပုံမှန်အသုံးချဧရိယာများ-
●Flue gas desulfurization စနစ်
● ချဉ်ခြင်း နှင့် အက်ဆစ် အစားထိုး အပင်
●Acetic acid နှင့် စိုက်ပျိုးရေးဓာတုဗေဒ ထုတ်လုပ်မှု
● တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ထုတ်လုပ်မှု (ကလိုရင်းနည်း)
●လျှပ်စစ်ဓာတ်ဖြင့် သုတ်ခြင်း။
ဂဟေဆက်ဆောင်ရွက်မှု
Hastelloy C-4 ကို tungsten electrode inert gas shielded welding၊ plasma arc welding၊ manual sub-arc welding၊ metal shielded inert gas welding နှင့် molten inert gas shielded welding ကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသော ဂဟေလုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့် ဂဟေဆက်နိုင်သည်။Pulse arc welding ကို ပိုနှစ်သက်သည်။
ဂဟေမဆက်မီ၊ အောက်ဆိုဒ်စကေး၊ ဆီစွန်းထင်းမှုနှင့် အမှတ်အသားအမျိုးမျိုးကို ဖယ်ရှားရန် ပစ္စည်းကို နှမ်းနှိမ့်ထားသင့်ပြီး ဂဟေ၏နှစ်ဖက်စလုံးရှိ အကျယ် ၂၅ မီလီမီတာခန့်ကို တောက်ပသောသတ္တုမျက်နှာပြင်အဖြစ် ပွတ်ပေးရပါမည်။
low heat input ဖြင့် interlayer temperature သည် 150°C ထက်မပိုပါ။